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制造商零件编号: STGF19NC60KD
沟道类型: N-Channel
最大耗散功率 (Pc): 32W
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 600V
集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 1.8V
集电极 －栅极电压 (Ucg):
栅极-发射极最大电压 (Ueg):
在25 C的连续集电极电流 (Ic): 12A
最大工作温度 (Tj):
导通上升时间: 50kHz
输出电容 (Cc), pf:
制造商: STMicroelectronics
封装形式: TO-220FP
主要用途: IGBT