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GAL16LV8的特性如下
· 高性能E2CMOS®技术
  - 3.5 ns的最大传输延迟
  - 250兆赫的Fmax=
  - 3.0 ns的最大时钟输入到数据输出
  - UltraMOS®技术先进的CMOS
· 50％至75％，减少权力从两极
  - 对低功率器件75mA的典型电流Icc
  -上一季度电力设备四五毫安典型电流Icc
· 主动上拉对所有引脚
· E2的电池技术
  - 可重构逻辑
  - 细胞重新编程
  - 100％Tested/100％的产率
  - 高速电擦除“（<100毫秒）
  - 20年的数据保存
· 八个输出逻辑宏单元
  - 最大的复杂逻辑设计的灵活性
  - 可编程输出极性
  - 兼C仿真20针PAL制式®器件具有完全功能/熔丝图/参数兼容性
· 预载和上电复位所有寄存器
  - 100％的功能可测性
· 应用程序包括：
  - DMA控制
  - 状态机控制
  - 高速图形处理
  - 标准逻辑速度升级
· 电子签名鉴定 更多IC解密案例：https://www.pcbcopy.com/ic/