来源：IC解密 实例的片内特性技术分析，供广大客户及各类技术工程师在芯片解密项目合作中进行技术参考和借鉴。
SST27SF010概述
SST27SF010是一个128K X8的MTP低成本闪存，由SST公司的专利，高性能的CMOS SuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器与其它方法相比达到更好的可靠性和可制造性。这些MTP设备可电擦除和编程至少1000次，使用一个12伏电源供电的外部编程器。它们在编程之前必须被擦除。这些器件符合JEDEC标准引脚为字节宽的存储器。
SST27SF010特性
·组织结构为128K X8
·4.5-5.5V读操作
·卓越的可靠性
- 耐力：至少1000次
- 大于100年数据保存期
·低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流：10μA（典型值）
·快速读取访问时间
- 70纳秒
- 90纳秒
·快速字节编程操作
- 字节编程时间：20μs（典型值）
- 芯片编程时间：2.8秒（典型值）
·电擦除编程
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间：100毫秒（典型值）
·TTL I / O兼容性
·JEDEC标准的字节宽度的EPROM引脚
·封装可供选择
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP（8mm x 14mm）
- 32引脚PDIP
在芯片解密技术研究中，我司长期专注高难度IC解密研究、DSP芯片解密研究、CPLD芯片解密研究、FPGA芯片解密研究等领域。目前，我们在SST系列单片机解密、STC系列单片机解密、ST系列芯片解密、NEC系列单片机解密等四十余个系列芯片解密研究中已经取得典型项目成果。专业化解密设备和检测仪器，可面向国内外广大客户提供高效、优质、可靠的SST27系列SST27SF010单片机解密服务.