IS42/45S16100F和IS42VS16100F性能比较及芯片解密

来源：IC解密等ISSI芯片破解技术研究已经率先取得突破，为芯片解密行业又解决了一大技术难题。为方便客户对这三款不同芯片解密进行技术理解与解密技术实现的分析，方便工程师更好的对这三者解密程序以及芯片本身的特性及应用进行了解，我们提供IS42S16100F，IS45S16100F和IS42VS16100F芯片的技术资料比较，供大家做技术参考。
芯片概述
IS42S16100F，IS45S16100F和IS42VS16100F是组织结构为524,288字×16位×2-bank同步高性能的16Mb DRAM。同步DRAM实现高速数据传输使用的管线架构。所有输入和输出信号的参考时钟输入上升沿。
芯片特性
·时钟频率：
- IS42/45S16100F：200，166，143 MHz
- IS42VS16100F：133，100 MHz
·完全同步，引用的所有信号到时钟上升沿
·两个扇区可以同时，同步独立运行
·A11控制的双内部扇区（扇区选择）
·单电源供电：
- IS42/45S16100F：VDD / VDDQ= 3.3V
- IS42VS16100F：VDD / VDDQ= 1.8V
·LVTTL接口
·可编程的突发长度
- （1，2，4，8，全页）
·可编程突发序列：循序/交错
·2048刷新周期/32ms
·随机列地址每时钟周期
·可编程/CAS延时（2～3个时钟）
·突发读/写和突发读/单一写操作能力
·突发爆裂型终止和预充电命令
·LDQM和UDQM控制字节
·封装类型：400-mil 50引脚TSOP-II和60球BGA封装
·无铅封装选项
·工业级温度等级
针对IS42S16100F，IS45S16100F和IS42VS16100F这三款芯片，我们解密工程师已进行了研究，摸清了其解密技术要领，可针对此三款ISSI疑难单片机进行实效高速的破解技术合作服务，欢迎需求客户与我们联系。